一般说夹断电压UGSoff，是指耗尽型的，夹断时 UgltUs开启电压UGSon或者Ugsth，是指增强型的，开启时 UgUs；预夹断时漏栅间电压=栅极电压，栅极电压小于0，漏极电流为减小的趋势，夹断时，漏极电流趋近为0，漏栅间电压大于夹断电压的绝对值，栅极电压小于等于夹断电压预夹断的情况是靠近漏极的耗尽区将非常靠近，形成一个窄缝，所以还有电流流过此后，如果栅压继续负下去，两边的耗尽区也要靠拢得更多，直到完全合；但同时Uds会变大的作用伴随着DS的电阻也会变大，他们会达到一种理想的平衡，使得电流id不变而不是楼主说的没有电流楼主，你可以自行参考高的教育出版社的模拟电子技术中的结型场效应管的工作原理，可以很好的理解还有楼主看完答案记得采纳问题，不是赞成，谢谢；场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高在沟道的不同位置上；场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管 晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计 晶体管 基极 发射极 集电极 场效应管 栅极 源极 漏。

场效应管的开启电压就是刚刚想成反型层，产生感生沟道时栅极和源极金的电压，夹断电压就是沟道形成之后在源极和漏极之间加电压，那么漏极的Id电流会逐渐加大，沟道会成逐渐变成楔形，当一端刚好反型层消失时，就是进入夹断区域这时漏极电压就是夹断开始的电压，经过在夹断区域后Id电流保持不变，就；越靠近S，电场能量越小，吸引力越弱，这就导致了反型层在D端比较窄，而在S端比较宽的情况，如果UDS继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了；以下是网上找的 场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大。

这是一个动态平衡的效果具体来说，一方面，Uds增大使得载流子流动速率变大，使得Id变大但另一方面，Uds增大也会使得夹断区域变大，使得载流子经过这个区域的阻力变大，使得Id变小这两个过程在预夹断和完全夹断之间几乎相互抵消，所以总体上Id的大小几乎保持不变；夹断电压指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS开启电压增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS；因为预夹断后的导电沟道中电阻处于最低值，而此时流过导电沟道的电流也就是最大值，即饱和电流值所以不会再随外部电压的变化而变化，当外部电压增大到击穿电压时，场管就会被击穿；结型场效应管因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管则因栅极与其它电极完全绝缘而得名目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管此外还有PMOSNMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管VMOS功率模块等场效应管的工作原理是什么？场效应管工作原理用一句话说，就是“；夹断电压是指 Vgs 当 Vgs 持续增大，耗尽层将合拢，沟道被夹断，此时ds间电阻趋于无穷大，而对应的Vgs被称为夹断电压。

并随着漏端的电平上升而开始往源端S扩散，形成沟道的夹断，这时电流出现饱和，载流子电子只能在夹断区紧贴着栅下一薄层向漏端运动，其运动受到限制，这就是电流饱和的微观机理；以NMOS场效应管为例，开始没有导电沟道，Vgs增大，就出现反型层，出现导电沟道，当Vds=0时，没有电流当Vds慢慢增大，会使得靠近漏极的电势差减小VgsVdsltVT，也就是VgdltVT， 既然这个电压小于导通电压，当然要夹断了哦不足以生成反型层啊；二极管三极管有多子和少子，而在场效应管中只有多子沟道夹断了，但是在电场作用下多子能在耗尽层中飘移，场效应管里只有一种载流子电子或空穴，且能双向流动，这一点与二极管三极管等双极型晶体管不同，这也是单极型晶体管不同于双极型晶体管的地方。

当vGS增大到一定值VP 时，两侧的耗尽层将在沟道中央合拢，沟道全部被夹断由于耗尽层中没有载流子，因此这时漏源极间的电阻将趋于无穷大，即使加上一定的电压vDS，漏极电流iD也将为零这时的栅源电压称为夹断电压，用VP表示设vGS值固定，且VPltvGSlt0当漏源电压vDS从零开始增大时，沟道中。