目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管此外还有PMOSNMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管VMOS功率模块等场效应管的工作原理是什么？场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”1场；越靠近S，电场能量越小，吸引力越弱，这就导致了反型层在D端比较窄，而在S端比较宽的情况，如果UDS继续增大，电场越强，吸引电子能力越强，反型层靠近D端的自由电子最终被全部吸引到D区，这样在靠近D端的地方就出现了载流子浓度极低的情况，也就是夹断区出现了。

夹断电压指结型或耗尽型场效应管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID减小到一个微小的电流，耗尽层合拢，沟道被夹断时所需的栅源电压VGS开启电压增强型绝缘栅场效管中，当漏源电压VDS一定时，使漏极电流ID到达某一个数值，场效应管由截止变为导通时所需的栅源电压VGS；2场效应管工作原理就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极源极间所加VDS的。

场效应管的开启电压就是刚刚想成反型层，产生感生沟道时栅极和源极金的电压，夹断电压就是沟道形成之后在源极和漏极之间加电压，那么漏极的Id电流会逐渐加大，沟道会成逐渐变成楔形，当一端刚好反型层消失时，就是进入夹断区域这时漏极电压就是夹断开始的电压，经过在夹断区域后Id电流保持不变，就；由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故在VGS=0的非。

场效应管发生预夹断后,管子

则漏端沟道消失，出现预夹断点当VS为0或较小时，VGDVT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布当VDS增加到使VGD=VT时，漏极处沟道将缩减到刚刚开启的情况，称为预夹断源区的自由电子在VDS电场力的作用下，仍能沿着沟道向漏端漂移，一旦到达预夹断区的边界处，就能被预。

这是一个动态平衡的效果具体来说，一方面，Uds增大使得载流子流动速率变大，使得Id变大但另一方面，Uds增大也会使得夹断区域变大，使得载流子经过这个区域的阻力变大，使得Id变小这两个过程在预夹断和完全夹断之间几乎相互抵消，所以总体上Id的大小几乎保持不变。

场效应管夹断电压和开启电压

场效应管的夹断电压，就是栅极与源极的电压，从场效应管导通后，逐渐降低栅极电压，直到场效应管关断为止，此时栅极与源极的电压就是场效应管的夹断电压。

场效应管在夹断后，还有饱和电流的原因是当漏一源之间接上+ VDS时，从源一沟道一漏组成的N型半导体区域内产生了一个横向的电位梯度源区为零电位，漏区为+ VIB，而沟道的电位则从源端向漏端逐渐升高在沟道的不同位置上，沟道厚度不同，源湍最厚，漏端最薄，逐渐升高在沟道的不同位置上。