1、vDSN沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只的近似关系与结型场效应管相类似在饱；25结型场效应管JFET和绝缘栅性场效应管MOSFET的区别图 26本文中详细介绍的是绝缘栅型场效应管，如图 26 右侧图所示；结构和符号以N沟道增强型为例 在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极工作原理以N沟道增强型为例 1 VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道 VGS =0特性曲线以N沟道增强型为例 场效应管的转移特性曲线动画。

2、2场效应管分类结型场效应管，简称JFET绝缘栅型场效应管，也称金属氧化物半导体场效应管，简称MOSFET，也是我们通常所说。

3、两个N区之间存在导电沟道类似结型场效应管2P沟道增强型VGS = 0时，ID = 0开启电压小于零，所以只有当VGS；预夹断及夹断区形成示意图2P沟道增强型场效应管原理P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻扩。